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PCB抄板元件封装术语大全(上)

来源:龙人计算机研究所 作者:站长 时间:2015-01-22 14:31:44

  现在PCB抄板软件有很多,如PORTEL99,POWERPCB等,但是在PCB抄板绘制元件封装时,由于我们要抄的PCB板所用的元件封装不一定和PORTEL99中的元件封装吻合,所以我们要自己建立元件封装,即将我们所要绘制的PCB中的元件形状绘出来,绘制元件封装时,我们要先统计一下PCB板上用了多少种封装,每种封装只需绘好一个,各种封装都绘好后,就能将其转到PORTEL99里再作加工了。因此,了解PCB抄板元件封装术语,成为了专业抄板工程师必不可少的课程,本文专门为PCB抄板工程师解析了相关封装术语。
  1、BGA(ballgridarray)
  球形触点陈列,表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚,在印刷基板的正面装配LSI芯片,然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点陈列载体(PAC)。引脚可超过200,是多引脚LSI用的一种封装。封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如,引脚中心距为1.5mm的360引脚BGA仅为31mm见方;而引脚中心距为0.5mm的304引脚QFP为40mm见方。而且BGA不用担心QFP那样的引脚变形问题。该封装是美国Motorola公司开发的,首先在便携式电话等设备中被采用,今后在美国有可能在个人计算机中普及。最初,BGA的引脚(凸点)中心距为1.5mm,引脚数为225。现在也有一些LSI厂家正在开发500引脚的BGA。BGA的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为,由于焊接的中心距较大,连接可以看作是稳定的,只能通过功能检查来处理。美国Motorola公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC,而把灌封方法密封的封装称为GPAC(见OMPAC和GPAC)。
  2、BQFP(quadflatpackagewithbumper)
  带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP封装之一,在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫)以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC等电路中采用此封装。引脚中心距0.635mm,引脚数从84到196左右(见QFP)。
  3、碰焊PGA(buttjointpingridarray)
  表面贴装型PGA的别称(见表面贴装型PGA)。
  4、C-(ceramic)
  表示陶瓷封装的记号。例如,CDIP表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。
  5、Cerdip
  用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装,用于ECLRAM,DSP(数字信号处理器)等电路。带有玻璃窗口的Cerdip用于紫外线擦除型EPROM以及内部带有EPROM的微机电路等。引脚中心距2.54mm,引脚数从8到42。在japon,此封装表示为DIP-G(G即玻璃密封的意思)。
  6、Cerquad
  表面贴装型封装之一,即用下密封的陶瓷QFP,用于封装DSP等的逻辑LSI电路。带有窗口的Cerquad用于封装EPROM电路。散热性比塑料QFP好,在自然空冷条件下可容许1.5~2W的功率。但封装成本比塑料QFP高3~5倍。引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm等多种规格。引脚数从32到368。
  7、CLCC(ceramicleadedchipcarrier)
  带引脚的陶瓷芯片载体,表面贴装型封装之一,引脚从封装的四个侧面引出,呈丁字形。带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM以及带有EPROM的微机电路等。此封装也称为QFJ、QFJ-G(见QFJ)。
  8、COB(chiponboard)
  板上芯片封装,是裸芯片贴装技术之一,半导体芯片交接贴装在印刷线路板上,芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现,芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现,并用树脂覆盖以确保可靠性。虽然COB是最简单的裸芯片贴装技术,但它的封装密度远不如TAB和倒片焊技术。
  9、LGA(landgridarray)
  触点陈列封装。即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装。装配时插入插座即可。现已实用的有227触点(1.27mm中心距)和447触点(2.54mm中心距)的陶瓷LGA,应用于高速逻辑LSI电路。LGA与QFP相比,能够以比较小的封装容纳更多的输入输出引脚。另外,由于引线的阻抗小,对于高速LSI是很适用的。但由于插座制作复杂,成本高,现在基本上不怎么使用。预计今后对其需求会有所增加。
  10、DFP(dualflatpackage)
  双侧引脚扁平封装。是SOP的别称(见SOP)。以前曾有此称法,现在已基本上不用。
  11、DIC(dualin-lineceramicpackage)
  陶瓷DIP(含玻璃密封)的别称(见DIP).
  12、DIL(dualin-line)
  DIP的别称(见DIP)。欧洲半导体厂家多用此名称。
  13、DIP(dualin-linepackage)
  双列直插式封装。插装型封装之一,引脚从封装两侧引出,封装材料有塑料和陶瓷两种。DIP是最普及的插装型封装,应用范围包括标准逻辑IC,存贮器LSI,微机电路等。引脚中心距2.54mm,引脚数从6到64。封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52mm和10.16mm的封装分别称为skinnyDIP和slimDIP(窄体型DIP)。但多数情况下并不加区分,只简单地统称为DIP。另外,用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP也称为cerdip(见cerdip)。
  14、DSO(dualsmallout-lint)
  双侧引脚小外形封装。SOP的别称(见SOP)。部分半导体厂家采用此名称。
  15、DICP(dualtapecarrierpackage)
  双侧引脚带载封装。TCP(带载封装)之一。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。由于利用的是TAB(自动带载焊接)技术,封装外形非常薄。常用于液晶显示驱动LSI,但多数为定制品。另外,0.5mm厚的存储器LSI簿形封装正处于开发阶段。在japon,按照EIAJ(japon电子机械工业)会标准规定,将DICP命名为DTP。
  16、DIP(dualtapecarrierpackage)
  同上。japon电子机械工业会标准对DTCP的命名(见DTCP)。
  17、FP(flatpackage)
  扁平封装。表面贴装型封装之一。QFP或SOP(见QFP和SOP)的别称。部分半导体厂家采用此名称。
  18、flip-chip
  倒焊芯片。裸芯片封装技术之一,在LSI芯片的电极区制作好金属凸点,然后把金属凸点与印刷基板上的电极区进行压焊连接。封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。是所有封装技术中体积最小、最薄的一种。但如果基板的热膨胀系数与LSI芯片不同,就会在接合处产生反应,从而影响连接的可靠性。因此必须用树脂来加固LSI芯片,并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。
  19、FQFP(finepitchquadflatpackage)
  小引脚中心距QFP。通常指引脚中心距小于0.65mm的QFP(见QFP)。部分导导体厂家采用此名称。
  20、CPAC(globetoppadarraycarrier)
  美国Motorola公司对BGA的别称(见BGA)。
  21、CQFP(quadfiatpackagewithguardring)
  带保护环的四侧引脚扁平封装。塑料QFP之一,引脚用树脂保护环掩蔽,以防止弯曲变形。在把LSI组装在印刷基板上之前,从保护环处切断引脚并使其成为海鸥翼状(L形状)。这种封装在美国Motorola公司已批量生产。引脚中心距0.5mm,引脚数最多为208左右。
  22、H-(withheatsink)
  表示带散热器的标记。例如,HSOP表示带散热器的SOP。
  23、pingridarray(surfacemounttype)
  表面贴装型PGA。通常PGA为插装型封装,引脚长约3.4mm。表面贴装型PGA在封装的底面有陈列状的引脚,其长度从1.5mm到2.0mm。贴装采用与印刷基板碰焊的方法,因而也称为碰焊PGA。因为引脚中心距只有1.27mm,比插装型PGA小一半,所以封装本体可制作得不怎么大,而引脚数比插装型多(250~528),是大规模逻辑LSI用的封装。封装的基材有多层陶瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基数。以多层陶瓷基材制作封装已经实用化。
  24、JLCC(J-leadedchipcarrier)
  J形引脚芯片载体。指带窗口CLCC和带窗口的陶瓷QFJ的别称(见CLCC和QFJ)。部分半导体厂家采用的名称。
  25、LCC(Leadlesschipcarrier)
  无引脚芯片载体。指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。是高速和高频IC用封装,也称为陶瓷QFN或QFN-C(见QFN)。
  26、LOC(leadonchip)
  芯片上引线封装。LSI封装技术之一,引线框架的前端处于芯片上方的一种结构,芯片的中心附近制作有凸焊点,用引线缝合进行电气连接。与原来把引线框架布置在芯片侧面附近的结构相比,在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm左右宽度。
  27、LQFP(lowprofilequadflatpackage)
  薄型QFP。指封装本体厚度为1.4mm的QFP,是japon电子机械工业会根据制定的新QFP外形规格所用的名称。
  28、L-QUAD
  陶瓷QFP之一。封装基板用氮化铝,基导热率比氧化铝高7~8倍,具有较好的散热性。封装的框架用氧化铝,芯片用灌封法密封,从而抑制了成本。是为逻辑LSI开发的一种封装,在自然空冷条件下可容许W3的功率。现已开发出了208引脚(0.5mm中心距)和160引脚(0.65mm中心距)的LSI逻辑用封装,并于1993年10月开始投入批量生产。
  29、MCM(multi-chipmodule)
  多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。根据基板材料可分为MCM-L,MCM-C和MCM-D三大类。MCM-L是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高,成本较低。MCM-C是用厚膜技术形成多层布线,以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷)作为基板的组件,与使用多层陶瓷基板的厚膜混合IC类似。两者无明显差别。布线密度高于MCM-L。MCM-D是用薄膜技术形成多层布线,以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或Si、Al作为基板的组件。布线密谋在三种组件中是最高的,但成本也高。
  30、MFP(miniflatpackage)
  小形扁平封装。塑料SOP或SSOP的别称(见SOP和SSOP)。部分半导体厂家采用的名称。
  31、MQFP(metricquadflatpackage)
  按照JEDEC(美国联合电子设备委员会)标准对QFP进行的一种分类。指引脚中心距为0.65mm、本体厚度为3.8mm~2.0mm的标准QFP(见QFP)。
  32、MQUAD(metalquad)
  美国Olin公司开发的一种QFP封装。基板与封盖均采用铝材,用粘合剂密封。在自然空冷条件下可容许2.5W~2.8W的功率。japon新光电气工业公司于1993年获得特许开始生产。
  33、MSP(minisquarepackage)
  QFI的别称(见QFI),在开发初期多称为MSP。QFI是japon电子机械工业会规定的名称。
  34、OPMAC(overmoldedpadarraycarrier)
  模压树脂密封凸点陈列载体。美国Motorola公司对模压树脂密封BGA采用的名称(见BGA)。
  35、P-(plastic)
  表示塑料封装的记号。如PDIP表示塑料DIP。
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